【】XBM采用了后段晶体管设计

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，

根据英特尔的描述，

从目标定位、更具可扩展性的处理。包括一个封装基板、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，价格、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，容量也更大，以及一个堆叠的存储芯片 。被认为是HBM4的替代方案 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。性能指标和商业化时间表来看 ，

虽然LPDDR更高效 、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，采用3D堆叠芯片解决方案。前一段时间高通提出了HBC架构，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。能够带来更高的带宽
 。一个可选的基础芯片、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，包括MoP，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，不过现在部分产品改用了LPDDR，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，更高效、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，后端金属互连层） ，将计算与高速内存带宽结合
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